资深工程师电源设计策略:如何避免传导EMI问题_yabo亚博2021

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更新时间:2022-04-11

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资深工程师电源设计策略:如何避免传导EMI问题_yabo亚博2021

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(作者:BrianKing)大部分传导EMI问题都是由共同模式噪音引起的。

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本文摘要:(作者:BrianKing)大部分传导EMI问题都是由共同模式噪音引起的。

(作者:BrianKing)大部分传导EMI问题都是由共同模式噪音引起的。另外,大部分共同模式噪音问题是由电源的寄生容量引起的。我们关注寄生电容器需要与电源输出电线结合时可能再次发生的情况。

1 .只要有几个fF的杂散电容器,EMI扫描就不会结束。本质上,开关电源具有获得低dV/dt的节点。

寄生容量和低dV/dt的混合不会引起EMI问题。寄生电容器的另一端连接到电源输出端时,少量电流不会泵入电源线。

请检查电源的寄生电容。我们都忘记了物理课上两个导体之间的电容与导体表面积成正比,与两个导体之间的距离成反比。

检查电路中的每个节点,并特别注意具有低dV/dt的节点。在电路布局中,看看这个节点的表面积是多少,节点离电路板输出电路有多近。电源MOSFET的泄漏和缓冲电路是罕见的罪魁祸首。

3.增加表面面积有技巧。尽可能在表面贴装PCB上使用。使用塔式TO-220PCB的FET是DRAIN选项卡(DRAIN选项卡)表面积较大,但通常是dV/dt最低的节点。请尝试代替表面贴装DPAK或D2PAKFET。

在DPAK标签下的低层PCB上放置初级短路面板可以更好地遮住FET的底部,从而提高寄生电容器。有时需要将表面面积用作风扇。如果需要在装有散热片的TO-220类型FET上使用,请尝试将散热片连接到第一段,而不是地球段。这样不仅有助于遮挡FET,还可以增加杂散电容。

拉动开关节点和输出连接之间的距离。让我举图1中的设计例子。在这里,我忽略了这个非常简单的原则。图1。

如果输出布线距离低dV/dt的节点太近,则传导EMI不会减少。我通过非常简单的调整电路板,将噪音减少了约6dB。听图2和图3的测量结果。

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在某些情况下,类似的低dV/dt展开输出线路布线可能会害怕共同模式线圈(CMC)。图2。在电路板布局中展开EMI扫描。

其中交流输出与开关电路的距离很近。图3。在电路板布局中展开EMI扫描。

其中交流输出与开关电路之间的距离较小。输出过滤器有没有大幅提高后EMI没有提高或提高效果?这很有可能是因为低dV/dt节点的杂散电容器结合在输出线路上,有效地穿过CMC。为了检测到这一点,可以暂时短路PCB上CMC的绕组,并将辅助CMC连接到电路板的输出电线上。如果有明显的改善,请创建新的布局板,并注意输出所连接的布局和布线。


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